6月4日下午，原香港大学校长、中国科学院院士郑耀宗教授莅临我院访问交流。我院董事长吴文刚、董事李俊、全体院领导及华中科技大学电子系系主任邹雪城等出席接待并进行了座谈。
会上，我院常务副院长刘太林就我院办学的基本情况、建校以来的发展及毕业生考研就业等方面做了简要介绍后，双方对我院未来如何走特色发展道路进行了探讨。
郑耀宗教授建议，民办高校一般在专业设置方面较为宽松。我院可利用自身优势，根据社会需求在专业设置上做出相应变化。“要深入社会，看社会上需要什么样的人才，而不是单方面的认为什么是被需要的。”
谈及教学方法，郑耀宗教授结合国外教学方式及自身办学经验谈到，教学应逐步由“老师教”过渡到“学生自主学习”，并强调学生能力的培养不能只限于书本学习。“一个学生能力水平的高低，不单是考试成绩所能反映的。阿里巴巴明确表示不请一流大学的学生，而是更青睐二流学校的学生。因为后者对于专业的学习更有兴趣，相对于在理论知识上有造诣的学生，他们的动手能力更强。”
当了解到我院学生在各大型活动组织方面的成就后，郑耀宗称赞了我院学生取得的成绩，并鼓励学院日后多加培养学生在组织方面的能力。
会上，双方还就如何配备师资力量、考试机制的调整及如何培养学生的责任心等问题进行了讨论。
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郑耀宗，微电子学专家。原籍广东中山，生于香港。1963年毕业于香港大学，获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。香港大学校长、教授。
长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。1999年当选为中国科学院院士。
